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光刻机和光刻胶的区别
用途和功能不同：光刻胶是一种用于半导体制造中的关键材料，被用于制作微电子器件的图案，而光刻机是一种用于制作微细图案的设备。
原理不同：光刻胶在光照下发生化学反应，并在显影过程中将发生反应的部分去掉，形成图案，而光刻机则是将光刻胶涂覆到硅片上并进行曝光、显影的过程。
光刻胶和光刻机的区别是作用不一样，光刻胶是光刻机研发的重要材料，光刻胶是用于保护硅片的，光刻机是用来制作芯片的。
中国的光刻机是谁造的?
光刻机是芯片制造的关键设备，我国投入研发的公司有微电子装备（集团）股份，长春光机所，中国科学院等都在研发，合肥芯硕半导体有限公司，先腾光电科技有限公司，先腾光电科技有限公司， 合肥芯硕半导体有限公司都有研发以及制造。
中国有自己的光刻机，由中国科学院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光实现了22nm分辨率的超分辨光刻装备，为纳米光学加工提供了全新的解决途径。
光刻机国产排名第一的是上海微电子。目前全球只有四家能够制造光刻机的公司，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子。这里说的光刻机指的是euv/duv浸润式光刻机。
目前全球只有四家公司可以制造光刻机，分别是荷兰阿斯麦尔、日本尼康和佳能、中国上海微电子，其他拥有光刻机的公司基本上都是用的荷兰阿斯麦尔公司的光刻机，并不是光刻机制造商。
中国光刻机现在达到了多少纳米?
1、纳米。根据查询工业网得知，国产光刻机最大分辨率为90纳米，波长193纳米。国产光刻机的最先进型号，是来自上海微电子的SSA60020。
2、目前国产光刻机已经达到了七纳米水平，对于国外的五纳米还处在很大的前进进步阶段。
3、国产光刻机90nm。蚀刻机达到了5nm水平，光刻机仍然是处于90nm水平，2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。
4、过去，中国的光刻机只能达到50纳米的生产精度，然而近年来，把握机遇，大力发展技术，中国光刻机顺利实现了25纳米和18纳米的生产精度，成功将产业链推向更高层面。
